На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT3906,215 | MMBT3906-7 | MMBT3906-7-F | MMBT3906_D87Z | MMBT3906K | MMBT3906LT1 | MMBT3906LT1G | MMBT3906LT3G | MMBT3906_NL | MMBT3906SL | MMBT3906T | MMBT3906T-7 | MMBT3906T-7-F | MMBT3906-TP | MMBT3906TT1G | MMBT3906T-TP | MMBT3906WT1 | MMBT3906WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, SOT-923F | SOT-23-3, SOT-523F | SOT-23-3, SOT-523 | SOT-23-3, SOT-523 | SOT-23-3, SOT-23 | SOT-23-3, SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-23-3, SOT-523 | SOT-23-3, SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Diodes Inc | Diodes Inc | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <100 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА | <200 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <350 мВт | <227 мВт | <250 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <350 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | |||||||||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||||||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <50 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |