На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT2369A | MMBT2369ALT1 | MMBT2369ALT1G | MMBT2369ALT3G | MMBT2369LT1 | MMBT2369LT1G | MMBT2369LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <225 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||