MMBT2222

MMBT2222, MMBT2222A, MMBT2222A,215, MMBT2222A-7, MMBT2222A-7-F, MMBT2222A_D87Z, MMBT2222AK, MMBT2222ALT1, MMBT2222ALT1G, MMBT2222ALT3G, MMBT2222AM3T5G, MMBT2222AT, MMBT2222AT-7, MMBT2222AT-7-F, MMBT2222A-TP, MMBT2222ATT1G, MMBT2222ATT3G, MMBT2222AT-TP, MMBT2222AWT1, MMBT2222AWT1G, MMBT2222LT1, MMBT2222LT1G, MMBT2222LT3, MMBT2222LT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		MMBT2222A	MMBT2222A,215	MMBT2222A-7	MMBT2222A-7-F	MMBT2222A_D87Z	MMBT2222AK	MMBT2222ALT1	MMBT2222ALT1G	MMBT2222ALT3G	MMBT2222AM3T5G	MMBT2222AT	MMBT2222AT-7	MMBT2222AT-7-F	MMBT2222A-TP	MMBT2222ATT1G	MMBT2222ATT3G	MMBT2222AT-TP	MMBT2222AWT1	MMBT2222AWT1G	MMBT2222LT1	MMBT2222LT1G	MMBT2222LT3	MMBT2222LT3G
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523F	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523F	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель	Производитель	STMicroelectronics	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Diodes Inc	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	Diodes Inc	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<1 А	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<75 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<350 мВт	<250 мВт	<300 мВт	<300 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<300 мВт	<640 мВт	<250 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<350 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>75Ic, Vce = 10mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>50Ic, Vce = 1mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>35Ic, Vce = 100µA, 10V	>75Ic, Vce = 10mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	(не задано)	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<270 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<10 нА	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)