На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT2132T3 | MMBT2132T3G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <700 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <342 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 100mA, 3V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |