На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBT123S-7 | MMBT123S-7-F | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <18 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 100mA, 1V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |