MJE4353G

MJE4353, MJE4353G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJE4353G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-93, TO-218 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<16 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<125 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 8A, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 800mA, 8A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<1 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<750 мкА