На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJE3439G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-225-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <300 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <350 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <15 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >15Ic, Vce = 20mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 4mA, 50mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <15 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <20 мкА |