MJE3055TG

MJE3055, MJE3055T, MJE3055TG, MJE3055TTU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJE3055TMJE3055TGMJE3055TTU
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronicsON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<10 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<75 Вт<75 Вт<600 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 4A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<2 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<700 мкА<700 мкА(не задано)