MJE13009G

MJE13009, MJE13009G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJE13009G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<12 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>8Ic, Vce = 5A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 1A, 5A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мА