MJD45H11

MJD45, MJD45H11, MJD45H11-001, MJD45H11-1G, MJD45H11G, MJD45H11RL, MJD45H11RLG, MJD45H11T4, MJD45H11T4G, MJD45H11TF, MJD45H11TM

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJD45H11MJD45H11-001MJD45H11-1GMJD45H11GMJD45H11RLMJD45H11RLGMJD45H11T4MJD45H11T4GMJD45H11TFMJD45H11TM
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<8 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт<1.75 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>40Ic, Vce = 4A, 1V>40Ic, Vce = 4A, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<90 МГц<90 МГц<90 МГц<90 МГц<90 МГц<90 МГц<90 МГц<90 МГц<40 МГц<40 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<10 мкА<10 мкА