MJD44

MJD44, MJD44E3T4, MJD44E3T4G, MJD44H11, MJD44H11-001, MJD44H11-1G, MJD44H11G, MJD44H11RL, MJD44H11RLG, MJD44H11T4, MJD44H11T4G, MJD44H11T5, MJD44H11T5G, MJD44H11TF, MJD44H11TM

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJD44E3T4MJD44E3T4GMJD44H11MJD44H11-001MJD44H11-1GMJD44H11GMJD44H11RLMJD44H11RLGMJD44H11T4MJD44H11T4GMJD44H11T5MJD44H11T5GMJD44H11TFMJD44H11TM
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<10 А<10 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт<1.75 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 5A, 5V>1000Ic, Vce = 5A, 5V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>40Ic, Vce = 4A, 1V>40Ic, Vce = 4A, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 10mA, 5A<1.5 ВIb, Ic = 10mA, 5A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
(не задано)(не задано)<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<50 МГц<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN DarlingtonNPN DarlingtonNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<10 мкА<10 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<10 мкА<10 мкА