MJD42C

MJD42, MJD42C, MJD42C1, MJD42C1G, MJD42CG, MJD42CRL, MJD42CRLG, MJD42CT4, MJD42CT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJD42CMJD42C1MJD42C1GMJD42CGMJD42CRLMJD42CRLGMJD42CT4MJD42CT4G
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<6 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<50 мкА