На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD42C | MJD42C1 | MJD42C1G | MJD42CG | MJD42CRL | MJD42CRLG | MJD42CT4 | MJD42CT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <6 А | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <20 Вт | |||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >15Ic, Vce = 3A, 4V | |||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A | |||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <3 МГц | |||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 мкА | |||||||