MJD41CRL

MJD41, MJD41CRL, MJD41CRLG, MJD41CT4, MJD41CT4G, MJD41CTF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJD41CRLMJD41CRLGMJD41CT4MJD41CT4GMJD41CTF
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<6 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 3A, 4V>30Ic, Vce = 300µA, 4V>15Ic, Vce = 3A, 4V>15Ic, Vce = 3A, 4V>15Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<50 мкА<50 мкА<50 мкА<50 мкА<10 мкА