На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD350G | MJD350T4 | MJD350T4G | MJD350TF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <300 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <15 Вт | <15 Вт | <15 Вт | <1.56 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 50mA, 10V | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 мкА | |||