MJD32C

MJD32, MJD32C, MJD32CG, MJD32CRL, MJD32CRLG, MJD32CT4, MJD32CT4-A, MJD32CT4G, MJD32CTF, MJD32CTF_NBDD002, MJD32CTM, MJD32RLG, MJD32T4, MJD32T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJD32CMJD32CGMJD32CRLMJD32CRLGMJD32CT4MJD32CT4-AMJD32CT4GMJD32CTFMJD32CTF_NBDD002MJD32CTMMJD32RLGMJD32T4MJD32T4G
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
STMicroelectronicsON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<40 В<40 В<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<15 Вт<15 Вт<15 Вт<15 Вт<15 Вт<15 Вт<15 Вт<1.56 Вт<1.56 Вт<1.56 Вт<15 Вт<15 Вт<15 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.2 ВIb, Ic = 375mA, 3A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
(не задано)<3 МГц<3 МГц<3 МГц<3 МГц(не задано)<3 МГц<3 МГц<3 МГц<3 МГц<3 МГц<3 МГц<3 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<50 мкА