MJD31C

MJD31, MJD31C, MJD31C1, MJD31C1G, MJD31CG, MJD31CITU, MJD31CRL, MJD31CRLG, MJD31CT4, MJD31CT4-A, MJD31CT4G, MJD31CTF, MJD31CTF_NBDD001, MJD31CTF_SBDD001A, MJD31T4, MJD31T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		MJD31C	MJD31C1	MJD31C1G	MJD31CG	MJD31CITU	MJD31CRL	MJD31CRLG	MJD31CT4	MJD31CT4-A	MJD31CT4G	MJD31CTF	MJD31CTF_NBDD001	MJD31CTF_SBDD001A	MJD31T4	MJD31T4G
Корпус микросхемы	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель	Производитель	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	STMicroelectronics	STMicroelectronics	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<40 В	<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<1.56 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<1.56 Вт	<1.56 Вт	<1.56 Вт	<15 Вт	<15 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>25Ic, Vce = 1A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<1.2 ВIb, Ic = 375mA, 3A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	(не задано)	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	(не задано)	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<20 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<20 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА