На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD3055G | MJD3055T4 | MJD3055T4G | MJD3055TF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <1.75 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 4A, 4V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <2 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 мкА | |||