На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD2955-001 | MJD2955-1G | MJD2955G | MJD2955T4 | MJD2955T4G | MJD2955TF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <1.75 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 4A, 4V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <2 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | PNP | PNP | NPN | PNP | PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 мкА | |||||