На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD253-001 | MJD253-1G | MJD253T4 | MJD253T4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <12.5 Вт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 200mA, 1V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <40 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||