На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD243G | MJD243T4 | MJD243T4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <4 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <12.5 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 200mA, 1V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <40 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||