На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD210G | MJD210RL | MJD210RLG | MJD210T4 | MJD210T4G | MJD210TF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <1.4 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >70Ic, Vce = 500mA, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <1.8 ВIb, Ic = 1A, 5A | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <1.8 ВIb, Ic = 1A, 5A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <65 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | |||||