MJD117

MJD117, MJD117-001, MJD117-1G, MJD117G, MJD117RLG, MJD117T4, MJD117T4G, MJD117TF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMJD117-001MJD117-1GMJD117GMJD117RLGMJD117T4MJD117T4GMJD117TF
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorSTMicroelectronicsON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 2A, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8A, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<3 ВIb, Ic = 40mA, 4A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<25 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<20 мкА