На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJD112-001 | MJD112-1G | MJD112G | MJD112RL | MJD112RLG | MJD112T4 | MJD112T4G | MJD112TF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <1.75 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 2A, 3V | >1000Ic, Vce = 2A, 3V | >1000Ic, Vce = 2A, 3V | >1000Ic, Vce = 2A, 3V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >1000Ic, Vce = 2A, 3V | >1000Ic, Vce = 2A, 3V | >1000Ic, Vce = 2A, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <2 ВIb, Ic = 8mA, 2A | <3 ВIb, Ic = 40mA, 4A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <25 МГц | |||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <20 мкА | |||||||