На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJB44H11 | MJB44H11G | MJB44H11T4 | MJB44H11T4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <50 Вт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 2A, 1V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 400mA, 8A | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <10 мкА | |||