На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MJ11032G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-204, TO-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <120 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 25A, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2.5 ВIb, Ic = 250mA, 25A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <2 мА |