MD2009DFX

MD2009, MD2009DFX

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMD2009DFX
Корпус микросхемы
Корпус
TO-3PF
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<10 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<700 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<58 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>18Ic, Vce = 1A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<2.8 ВIb, Ic = 1.4A, 5.5A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<2 мА