На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSH29CITU | KSH29CTF | KSH29ITU | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | <100 В | <40 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.56 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >15Ic, Vce = 1A, 4V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 125mA, 1A | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <3 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 мкА | ||