KSH200TF

KSH200, KSH200TF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрKSH200TF
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.4 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>45Ic, Vce = 2A, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.8 ВIb, Ic = 1A, 5A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<65 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА