KSE13003

KSE13003, KSE13003AS, KSE13003ASTU, KSE13003H1AS, KSE13003H1ASTU, KSE13003H2AS, KSE13003H2ASTU, KSE13003H3ASTU, KSE13003TATU, KSE13003TH1ATU, KSE13003TH2ATU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрKSE13003ASKSE13003ASTUKSE13003H1ASKSE13003H1ASTUKSE13003H2ASKSE13003H2ASTUKSE13003H3ASTUKSE13003TATUKSE13003TH1ATUKSE13003TH2ATU
Корпус микросхемы
Корпус
TO-126-3 (Straight Leads)TO-126-3 (Straight Leads)TO-126-3 (Straight Leads)TO-126-3 (Straight Leads)TO-126-3 (Straight Leads)TO-126-3 (Straight Leads)TO-126-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>8Ic, Vce = 500mA, 2V>8Ic, Vce = 500mA, 2V>9Ic, Vce = 500mA, 2V>9Ic, Vce = 500mA, 2V>14Ic, Vce = 500mA, 2V>14Ic, Vce = 500mA, 2V>8Ic, Vce = 500mA, 2V>8Ic, Vce = 500mA, 2V>9Ic, Vce = 500mA, 2V>14Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<3 ВIb, Ic = 500mA, 1.5A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN