На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSD261CGBU | KSD261CGTA | KSD261CYBU | KSD261CYTA | KSD261GBU | KSD261GTA | KSD261YBU | KSD261YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | |||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||