На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSD1616AGBU | KSD1616AGTA | KSD1616ALBU | KSD1616ALTA | KSD1616AYBU | KSD1616AYTA | KSD1616GBU | KSD1616GTA | KSD1616LBU | KSD1616LPWD | KSD1616YBU | KSD1616YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <750 мВт | |||||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 1A | |||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <160 МГц | |||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||