На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSD1020GBU | KSD1020GTA | KSD1020YBU | KSD1020YTA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Short Body) | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <700 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 70mA, 700mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <170 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||