KSC2330

KSC2330, KSC2330ABU, KSC2330ASHBU, KSC2330OBU, KSC2330OTA, KSC2330RBU, KSC2330RTA, KSC2330YBU, KSC2330YTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрKSC2330ABUKSC2330ASHBUKSC2330OBUKSC2330OTAKSC2330RBUKSC2330RTAKSC2330YBUKSC2330YTA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В<400 В<300 В<300 В<300 В<300 В<300 В<300 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 20mA, 10V>40Ic, Vce = 20mA, 10V>70Ic, Vce = 20mA, 10V>70Ic, Vce = 20mA, 10V>40Ic, Vce = 20mA, 10V>40Ic, Vce = 20mA, 10V>120Ic, Vce = 20mA, 10V>120Ic, Vce = 20mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN