На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSB811GBU | KSB811GTA | KSB811OBU | KSB811OTA | KSB811YBU | KSB811YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Short Body) | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | |||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >70Ic, Vce = 100mA, 1V | >70Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <110 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||