На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSB1116AGBU | KSB1116AGTA | KSB1116ALBU | KSB1116ALTA | KSB1116AYBU | KSB1116AYTA | KSB1116GBU | KSB1116GTA | KSB1116LBU | KSB1116LTA | KSB1116SYBU | KSB1116SYTA | KSB1116YBU | KSB1116YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <750 мВт | |||||||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 1A | |||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <120 МГц | |||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||