На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | KSA812GAMTF | KSA812GMTF | KSA812LMTF | KSA812OMTF | KSA812YMTF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >300Ic, Vce = 1mA, 6V | >90Ic, Vce = 1mA, 6V | >135Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||