HD1750FX

HD1750, HD1750FX, HD1750JL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHD1750FXHD1750JL
Корпус микросхемы
Корпус
ISOWATT218FXTO-264
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<24 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<800 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<75 Вт<200 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>6.5Ic, Vce = 12A, 5V>30Ic, Vce = 1A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<3 ВIb, Ic = 3A, 12A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)<2 мА