FPN660

FPN660, FPN660A, FPN660A_D26Z, FPN660A_D27Z, FPN660A_D75Z

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFPN660AFPN660A_D26ZFPN660A_D27ZFPN660A_D75Z
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>250Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<75 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP