На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FMB100 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <700 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 нА |