На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FJZ945GTF | FJZ945LTF | FJZ945OTF | FJZ945YTF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-623F | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >350Ic, Vce = 1mA, 6V | >70Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||