На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FJV1845EMTF | FJV1845FMTF | FJV1845PMTF | FJV1845UMTF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <120 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >400Ic, Vce = 1mA, 6V | >300Ic, Vce = 1mA, 6V | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >600Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <110 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||