На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FJP5021O | FJP5021OTU | FJP5021OV | FJP5021OVTU | FJP5021R | FJP5021RTU | FJP5021RV | FJP5021RVTU | FJP5021Y | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | ||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | ||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <500 В | ||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <50 Вт | ||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 600mA, 5V | >20Ic, Vce = 600mA, 5V | >20Ic, Vce = 600mA, 5V | >20Ic, Vce = 600mA, 5V | >15Ic, Vce = 600mA, 5V | >15Ic, Vce = 600mA, 5V | >15Ic, Vce = 600mA, 5V | >15Ic, Vce = 600mA, 5V | >30Ic, Vce = 600mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 600mA, 3A | ||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <18 МГц | ||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||