FJNS7565BU

FJNS7565, FJNS7565BU, FJNS7565TA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFJNS7565BUFJNS7565TA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Short Body)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<10 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<550 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 2A, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<450 мВIb, Ic = 60mA, 3A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN