FJN13003BU

FJN13003, FJN13003BU, FJN13003TA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFJN13003BUFJN13003TA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>9Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<3 ВIb, Ic = 500mA, 1.5A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN