На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FJD3076TF | FJD3076TM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <32 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >130Ic, Vce = 500mA, 3V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <800 мВIb, Ic = 200mA, 2A | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |