На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FJAF4210OTU | FJAF4210RTU | FJAF4210YTU | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3PF-3 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <140 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <80 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 3A, 4V | >50Ic, Vce = 3A, 4V | >90Ic, Vce = 3A, 4V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 500mA, 5A | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <30 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||