ESM6045AV

ESM6045, ESM6045AV, ESM6045DV

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрESM6045AVESM6045DV
Корпус микросхемы
Корпус
ISOTOP
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<72 А<84 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<450 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>150Ic, Vce = 60A, 5V>120Ic, Vce = 70A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.2 ВIb, Ic = 1A, 50A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington