ESM4045DV

ESM4045, ESM4045DV

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрESM4045DV
Корпус микросхемы
Корпус
ISOTOP
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<42 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<450 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>220Ic, Vce = 35A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.4 ВIb, Ic = 2A, 35A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN