На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ESM2012DV | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOTOP |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <120 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <120 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <175 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1200Ic, Vce = 100A, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 1A, 100A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |